东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

2025-05-20

－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－

中国上海，2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的^[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。

四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗^[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚^[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比^[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%^[4]，有助于降低设备中的功率损耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）

图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

应用：

服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
电动汽车充电站
光伏逆变器
不间断电源

特性：

DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
东芝第3代SiC MOSFET
通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
低漏源导通电阻×栅漏电荷
低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25°C）

器件型号				TW031V65C	TW054V65C	TW092V65C	TW123V65C
封装	名称			DFN8×8
封装	尺寸（mm）		典型值	8.0×8.0×0.85
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）			650
	栅极-源极电压VGSS（V）			–10至25
	漏极电流（DC）ID（A）	Tc＝25°C		53	36	27	18
电气特性	漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）	V_GS＝18V	典型值	31	54	92	123
	栅极阈值电压Vth（V）	V_DS＝10V		3.0至5.0
	总栅极电荷Qg（nC）	VGS＝18V	典型值	65	41	28	21
	栅极-漏极电荷Qgd（nC）	VGS＝18V	典型值	10	6.2	3.9	2.3
	输入电容Ciss（pF）	VDS＝400V	典型值	2288	1362	873	600
	二极管正向电压VDSF（V）	VGS＝–5V	典型值	–1.35
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注：
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。
[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。

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TW031V65C
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TW092V65C
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SiC功率器件
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东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,971亿日元（49.6亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

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